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mosfet和bjt谁的电流大

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为什么一般BJT的电流一般大于MOSFET?: BJT(三极管),用于控制电流的,是电流驱动型器件,只有Ib等条件符合要求后才能工作,是用来控制电流的器件
MOSFET是电压驱动型器件,栅极加一驱动电压即可控制管子的开启的关断,在很多低功耗的场合都用MOSFET

BJT与mos相比,各有什么优缺点,求模拟电路大神: MOSFET是电压型控制器件,它的栅极电压决定着它的电流,不同的mosfet特性也不同,增强型、耗尽型的控制电压不同。
这样一来,mos的偏置需要一个准确的栅极电压,而偏置电流却很低,偏置电阻可以取到很大,这样MOS的输入阻抗也会很高。
D、S极与三极管略同。

BJT与FET的异同点?: BJT为双极型晶体管(因为是两种载流子:电子和空穴共同参与导电);FET是单极型晶体管(因为是一种载流子参与导电,要么是电子(N沟道),要么是空穴(P沟道));BJT是电流控制型器件(基极电流控制集电极电流),FET是电压控制型器件(栅源电压控制漏极电流)。目前FET在市场上占主导地位

恒流源电路的原理:

恒流源电路的原理是以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据,经D/A转换并滤波后产生EIT所需的正弦信号。

采用DDS集成芯片AD9830,其内部有两个12位相位寄存器和两个32位频率寄存器。在单片机的控制下对相应的寄存器置数就可以方便得到2MHz以下的任意频率和相位的输出,其中频率精度为1/ 2 32,相位分辨率为2π/2 12,输出幅度也可以在一定的范围内调节,因此能满足系统多频激励(10kHz~1MHz)的要求。

恒流源电路要能够提供一个稳定的电流以保证其它电路稳定工作的基础。即要求恒流源电路输出恒定电流,因此作为输出级的器件应该是具有饱和输出电流的伏安特性。这可以采用工作于输出电流饱和状态的BJT或者MOSFET来实现。

扩展资料

在恒流源电路基本电路的基础上,还可以加以扩展其功能:

一方面,在二极管恒压源(T1)的作用下,它的后面可以连接多个输出支路(与T2并联的多个晶体管),从而能够获得多个稳定的输出电流。

另一方面,在T1和T2的源极(发射极)上还可以分别串联一个电阻(设分别为R1和R2),这就能够得到不同大小的恒定输出电流。

因为这时可有I(输出)/I(参考)=R1/R2,则在这种恒流源电路中,输出的恒定电流基本上是决定于电阻以及晶体管放大系数的比值,而与电阻和放大系数的绝对大小关系不大。这种性质正好适应了集成电路制造工艺的特点,所以这种恒流源电路是模拟IC中的一种基本电路。

BJT,JFET,MOSFET全名是什么?: BJT:双极型结型晶体管
JFET:单极型结型场效应晶体管
MOSFET:单极型绝缘栅型场效应晶体管

MOSFET、IGBT、BJT各自适合于哪些应用?: 相比于IGBT和BJT耐冲击性好,故障率低。由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好。大功率应用时,如成本不敏感,如军用、工业、高端消费产品,MOSFET是最优选择。低压大电流领域是MOSFET的强项。
IGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件,IGBT的优点在于做大功率时成本低,堪称“穷人的法拉利”,耐压比MOSFET容易做高。相比于BJT,更少被二次击穿而失效。常用于高压(600V)应用领域。以及低端大功率(2000W)设备,如电磁炉、逆变器等。
BJT是最老的开关器件,目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT生产线没有停产,仍然活跃于低端市场。低压BJT开关频率可以较高,但由于饱和CE压降高达0.4V以上而远逊于MOSFET,只被用在最低端领域。高压BJT驱动麻烦,需使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动。在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效。适合中功率(50~1000W),对成本极度敏感的市场。
BJT有两种驱动方式,一种是基极开关,一种是射极开关。射极开关的效率和开关速度都优于基极开关,是BJT应用的潮流。
答:MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏。MOSFET常见的失效模式有:
栅极击穿。即栅极和源极之间的绝缘层破坏。此时的MOSFET(此处均指增强型MOSFET)无法开启。
封装破裂。这是由瞬间高热引起的。在瞬间产热过大,散热不良的情形下,树脂封装材料部分分解气化并膨胀,把封装撑裂。
漏源极之间击穿。这是MOSFET最严重的一种失效模式,通常不易发生。发生后会导致短路而非断路。会导致强电源灌进弱电部分,如输入电压直接进入控制芯片而烧毁很多控制电路。通常是持续温度太高引起的(管芯温度大面积超过200度持续工作时才可能发生)IGBT稳定性比MOSFET稍差,但仍强过BJT。除了MOSFET的失效模式外,还有二次击穿的失效模式。
当IGBT持续超过安全工作区工作时,会出现还未大面积发热就出现CE极击穿的现象,这种击穿称为二次击穿。IGBT出现二次击穿的可能性比BJT小很多,但仍有可能出现。
BJT常见的失效模式有:
二次击穿:最常见的失效模式,表现为芯片并未大面积发热,但CE之间持续低阻。此时BJT已经损坏。如果是用在电源上没有保护,则会进一步发展为整管熔毁。CB间绝缘破坏:比较少见,通常发生在整管熔毁时,或CB间承受的电压高于VCBO时击穿。
热击穿:在高温下管子热失效。通常不易发生,因二次击穿发生更加容易,先发生二次击穿。
MOSFET开关极快,而且是多子导电器件,没有拖尾电流,损耗主要是开通时的输出电容放电损耗。计算公式为:
Ploss = f * 0.5 * Coss * V^2 ,
V是MOSFET开通前一瞬间承受的电压。
IGBT开关速度较快,没有存储时间,但存在拖尾电流。拖尾电流,就是在VCE已经升高的情况下,CE之间仍然有一股小电流流通一段时间,拖尾电流导致的电流--电压交叉损耗构成了IGBT的主要损耗。
BJT开关速度慢,而且是少子器件,存在存储时间。存储时间就是基极电流已经切断甚至反向,而集极和射极仍然保持完全导通的时间。在存储时间后进入下降时间。下降时间是电压、电流交叉的时间,交叉损耗发生在下降时间。低压BJT由于β值高,下降时间比较短,存储时间也可以通过肖特基箝位电路大幅减小,因此主要损耗在于导通损耗,开关损耗不太大。高压BJT的存储时间不容易通过箝位控制,下降时间也较长,主要损耗包括电流--电压交叉损耗。
但必须注意,采用射极开关的BJT没有存储时间,下降时间也很短,开关损耗可以达到MOSFET的水准。
答:从损耗分析上来看,
MOSFET的主要损耗是输出电容放电损耗,因此需要实现零电压开通,即开通前一瞬间DS电压为0.
电路形式有LLC半桥以及准方波谐振的变换器,如移相全桥ZVS,准谐振反激。
IGBT的主要损耗来自拖尾电流,因此需要实现零电流关断,消除拖尾电流,即关断前一瞬间CE电流为0.
电路形式有ZCS半桥、ZCS全桥。
BJT的主要损耗和IGBT相仿,主要在关断时有电流--电压交叉损耗,因此也应实行零电流关断。

MOSFET静态工作点与BJT静态工作点分析方法异同: BJT的发射结导通时电压约为0.7V,所以BJT静态工作点可采用估算法。MOSFET静态工作点的确定可采用:1、图解法(已知管子的转移特性曲线);2、用转移特性的近似公式计算。

为什么mosfet的温度稳定性比bjt的温度稳定好: MOSFET是当今最主流的开关器件,价格较高,开关速度极快,从5W到数十万W的各类拓扑电源都有应用。相比于BJT耐冲击性好,故障率低。由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好。大功率应用时,MOSFET是最优选择。低压大电流领域是MOSFET的强项。

BJT是最老的开关器件,远逊于MOSFET,只被用在最低端领域。高压BJT驱动麻烦,需使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动。在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效。
MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏

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